Российские ученые впервые совместили свойства оксида кремния и оксида германия, изучив их потенциал в создании энергосберегающих альтернатив флеш-памяти. Исследования проводятся в Аналитическом и технологическом исследовательском центре «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» Физического факультета Новосибирского госуниверситета (НГУ).
Научный коллектив во главе с Владимиром Володином обнаружил мемристорный эффект в германо-силикатных стеклах, который можно использовать для создания элементов памяти, обладающих повышенной долговечностью и энергоэффективностью. Оксид кремния, известный своей стабильностью, и оксид германия с низкой энергией связи позволили создать уникальный состав, который сочетает лучшие качества обоих материалов.
Иван Юшков, младший научный сотрудник, отмечает, что новые элементы памяти на базе мемристоров могут обеспечить значительно больше циклов перезаписи, что в разы превышает возможности традиционной флеш-памяти. Мемристоры также демонстрируют значительно меньшую длительность цикла перезаписи, что способствует созданию «быстродействующей» памяти.
Ученые создали четыре типа пленок с различными соотношениями компонентов и провели испытания в условиях рабочих температур мемристоров, используя модели электрической проводимости. Результаты позволили им теоретически предсказывать параметры будущих мемристоров без необходимости выращивания наноструктур. Таким образом, эта разработка открывает новые горизонты для повышения эффективности и скорости работы электронных устройств.
